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Test Burn-In Tester
安藤電気のバーンインテストを承継し、顧客の最新ニーズに応じたアップグレードで多様なテスト条件と機能を実現するパッケージバーンインテストシステム

AF8652

AF8652D6

Mask-ROMテスト機能を追加したバーインテストでハイパワーを提供

対象製品 : DDRシリーズ、S(D)RAM、FlashMemory、Mask-ROM、GDDRシリーズ、

LPDDRシリーズ及びembeddedメモリデバイス

特徴 : 10MHz、-10℃〜150℃運転仕様、大電流及び4電源仕様

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AF8862

AF8862C7

拡張されたALPGアドレス及び大電流を提供する高性能メモリバーンインテスト

対象製品 : DDRシリーズ、S(D)RAM、FlashMemory、GDDRシリーズ

LPDDRシリーズ及びembeddedメモリデバイス

特徴 : 10MHz、60Slot仕様、-10℃〜150℃運転仕様、大電流及び4電源仕様

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DM8827

DM8827

マルチチャンバー構成で4Zone個別での制御運転ができるQRA用TBTシステム

対象製品 : DDRシリーズ、S(D)RAM、FlashMemory、Mask-ROM、

GDDRシリーズ、LPDDRシリーズ及びembeddedメモリデバイス

特徴 : 10MHz、4Chamber(-50℃〜150℃低温2個とRT〜150℃仕様2個の構成)

Fail Memory搭載、メモリSERテストのための拡張された機能提供

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DM8827

QRA用TBTシステム AF8651A5・AF8651A7・AF8655C7

温度の条件、フラッシュテストファンクション等のご要求に対応できるIZoneのシステム

対象製品 : DDRシリーズ、S(D)RAM、FlashMemory、Mask-ROM、

GDDRシリーズ、LPDDRシリーズ及びembeddedメモリデバイス

特徴 : 10MHz、12Slot仕様、-40℃〜150℃低温及びRT〜150℃高温仕様が選択できる

QRA用TBTシステム AF8651A5・AF8651A7・AF8655C7パンフレットダウンロード

DM8827

Debug Station AF8610

量産システムと同様の機能で、エンジニアリング用途のデバッグシステム

対象製品 : DDRシリーズ、S(D)RAM、FlashMemory、Mask-ROM、

LPDDRシリーズ及びembeddedメモリデバイス等

特徴 : No-Chamber、デバイスのデバック用途、簡単な設置環境

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